RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Confronto
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Punteggio complessivo
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
51
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
51
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2621
2778
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Segnala un bug
×
Bug description
Source link