RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Confronto
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Punteggio complessivo
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
79
Intorno -182% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.4
1,468.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
79
28
Velocità di lettura, GB/s
3,061.8
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,468.1
17.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
422
3963
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link