RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Confronto
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
79
Intorno -276% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.4
1,468.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
79
21
Velocità di lettura, GB/s
3,061.8
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,468.1
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
422
4089
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link