RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
42
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
35
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2001
2559
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link