RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2559
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link