Confronto tra le RAM Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Punteggio complessivo

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

42 43

Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.5 9.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 12800

Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2285 2525

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns