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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Confronto
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Differenze
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
43
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
23
Velocità di lettura, GB/s
13.2
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2285
3169
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
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InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
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