RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
43
Autour de -87% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
3169
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link