RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
40
Autour de -111% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3855
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link