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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
40
左右 -111% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
19
读取速度,GB/s
12.3
20.4
写入速度,GB/s
8.9
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3855
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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