RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
40
Около -111% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.4
Скорость записи, Гб/сек
8.9
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3855
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link