RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
21300
Intorno 1.1 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
13.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
23400
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2181
2709
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link