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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
21300
En 1.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
23400
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2709
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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