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Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
11.4
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1440
2409
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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