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Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

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Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 11.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 8500
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    11.4 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 10.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1440 left arrow 2409

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