RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
58
Intorno 55% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
58
Velocità di lettura, GB/s
13.5
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1932
2591
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link