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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
13.5
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1932
3420
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Confronto tra le RAM
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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