Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Punteggio complessivo
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Punteggio complessivo
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.3 left arrow 7.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.5 left arrow 13.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 8.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1932 left arrow 2157
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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