RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
52
Intorno 50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
52
Velocità di lettura, GB/s
13.5
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1932
2236
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link