RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
30
Velocità di lettura, GB/s
9.0
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
3568
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link