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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
27
Velocità di lettura, GB/s
9.0
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
2323
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Confronto tra le RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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