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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
9.0
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
2407
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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