RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
29
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
23
Velocità di lettura, GB/s
9.0
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
2935
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link