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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno -7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
5.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
27
Velocità di lettura, GB/s
9.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.7
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
2288
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
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