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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
40
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1806
3391
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
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