Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Punteggio complessivo
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 11.8
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 40
    Intorno -25% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.7 left arrow 7.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    40 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.3 left arrow 11.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 8.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1806 left arrow 2585
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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