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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
40
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
26
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1806
2740
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Confronto tra le RAM
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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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