RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
43
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
31
Velocità di lettura, GB/s
11.4
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2994
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link