RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
43
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.1
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
29
Velocità di lettura, GB/s
11.4
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2797
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link