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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Differenze
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
43
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
26
Velocità di lettura, GB/s
11.4
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
3876
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
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