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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
77
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
11.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
77
Velocità di lettura, GB/s
11.4
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
1549
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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