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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Confronto
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
43
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
11.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
39
Velocità di lettura, GB/s
11.4
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1823
2183
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
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