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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Confronto
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
27
Velocità di lettura, GB/s
15.3
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2646
2193
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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