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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Confronto
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
48
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
48
Velocità di lettura, GB/s
15.3
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2646
2466
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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