RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
48
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
48
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2466
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link