RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Confronto
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
101
Intorno 75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
101
Velocità di lettura, GB/s
15.3
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2646
1313
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link