RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
101
Около 75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
101
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.8
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
1313
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link