RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Confronto
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno 39% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
38
Velocità di lettura, GB/s
11.6
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1751
2298
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link