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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.4 left arrow 13.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 9.1
    Valore medio nei test
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 35
    Intorno -25% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.4 left arrow 13.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.5 left arrow 9.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2321 left arrow 1989

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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