RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
9.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de -25% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
1989
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link