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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Confronto
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
36
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
23
36
Velocità di lettura, GB/s
11.6
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1751
2466
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Confronto tra le RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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