Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Punteggio complessivo
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 71
    Intorno 62% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.5 left arrow 6.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.6 left arrow 11.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 10600
    Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 71
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.9 left arrow 15.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.5 left arrow 6.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1620 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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