RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
71
Rund um 62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
1650
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link