RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
71
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1650
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link