Comparação RAM Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Pontuação geral

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 71

Por volta de 62% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.5 6.4

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.6 11.9

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 10600

Por volta de 2.01 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1620 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns