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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
25
Velocità di lettura, GB/s
16.1
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3729
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
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