RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3729
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link