Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    17 left arrow 25
    Intorno -47% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    22 left arrow 16.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    17.0 left arrow 10.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 17
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.1 left arrow 22.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 17.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2764 left arrow 3731
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti