RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
25
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
17
Velocità di lettura, GB/s
16.1
22.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3731
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link