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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
24
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2982
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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