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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
16.1
16.5
写入速度,GB/s
10.1
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2982
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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